Name: FCD7N60TM-WS
Brand: onsemi
SKU: FCD7N60TM-WSTR-ND
Price: 3.388 EUR
Availability: InStock

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FCD7N60TM-WS
N.º de producto de DigiKey	FCD7N60TM-WSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FCD7N60TM-WSCT-ND - Cinta cortada (CT) FCD7N60TM-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCD7N60TM-WS
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCD7N60TM-WS Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30 nC @ 10 V
Serie SuperFET™	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 920 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FCD7N60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 3.5A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (8)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FCD7N60TM	onsemi	4.058	FCD7N60TMCT-ND	2,90000 €	Equivalente paramétrico
SIHD7N60E-GE3	Vishay Siliconix	30	SIHD7N60E-GE3-ND	2,49000 €	Similar
SPD07N60C3ATMA1	Infineon Technologies	2.193	448-SPD07N60C3ATMA1CT-ND	2,54000 €	Similar
STD10N60M2	STMicroelectronics	3.547	497-13937-1-ND	1,51000 €	Similar
STD10NM60N	STMicroelectronics	3.085	497-10021-1-ND	3,42000 €	Similar