Name: FCD4N60TM
Brand: onsemi
SKU: FCD4N60TMTR-ND
Price: 2.6862 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

FCD4N60TM
N.º de producto de DigiKey	FCD4N60TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FCD4N60TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FCD4N60TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCD4N60TM
Descripción	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCD4N60TM Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16.6 nC @ 10 V
Serie SuperFET™	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 540 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 50W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.9A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FCD4N60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2Ohm a 2A, 10V