PMPB8XNX Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

PMPB8XNX
N.º de producto de DigiKey	1727-PMPB8XNXTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PMPB8XNXCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PMPB8XNXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMPB8XNX
Descripción	MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 10.1A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) DFN2020MD-6
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 10.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1696 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN2020MD-6
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	PMPB8

PMPB8XNX