PMH850UPEH Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

PMH850UPEH
N.º de producto de DigiKey	1727-PMH850UPEHTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PMH850UPEHCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PMH850UPEHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMH850UPEH
Descripción	MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 600mA (Ta) 660mW (Ta), 2.23W (Tc) DFN0606-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PMH850UPEH Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Discontinuo en DigiKey
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	600mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1Ohm a 500mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	950mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	62.2 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	660mW (Ta), 2.23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN0606-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	PMH850

Precio unitario sin IVA:	0,30000 €
Precio unitario con IVA:	0,36300 €

PMH850UPEH