Name: GANE1R8-100QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE1R8-100QBAZTR-ND
Price: 10.9263 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

GANE1R8-100QBAZ
N.º de producto de DigiKey	1727-GANE1R8-100QBAZTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-GANE1R8-100QBAZCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-GANE1R8-100QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GANE1R8-100QBAZ
Descripción	GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 100A (Tc) 65W (Tc) 25-VQFN (4x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 21mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +6V, -4V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 65W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 25-VQFN (4x6)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V	Paquete / Caja (carcasa) 25-PowerVFQFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8mOhm a 40A, 5V