Name: IGT65R055D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND
Price: 8.6636 EUR
Availability: InStock

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IGT65R055D2ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGT65R055D2ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGT65R055D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGT65R055D2ATMA1
Descripción	GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 31H (Tc) 106W (Tc) PG-HSOF-8-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGT65R055D2ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.6V a 2.6mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.7 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (máx.) -10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 340 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 106W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 31H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 66mOhm a 7.9A