Name: NV6029
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6029TR-ND
Price: 13.8182 EUR
Availability: InStock

NV6029
N.º de producto de DigiKey	1913-NV6029TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-NV6029CT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-NV6029DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	NV6029
Descripción	GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 30A (Tc) 135W (Tc) 8-PDFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	GaNFast™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	70mOhm a 12A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 24mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	227 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-VDFN

Precio unitario sin IVA:	11,42000 €
Precio unitario con IVA:	13,81820 €

NV6029