Name: NV6012C-RA
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6012C-RATR-ND
Price: 1.9239 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NV6012C-RA
N.º de producto de DigiKey	1913-NV6012C-RATR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-NV6012C-RACT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-NV6012C-RADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	NV6012C-RA
Descripción	GANFAST DISCRETE 650V 450MOHM PQ
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 700 V 2.7A (Tc) 25.4W (Tc) 8-QFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 1.35A, 7V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (máx) a Id 2.8V a 2.3mA
Serie GaNFast™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.85 nC @ 6 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +7V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 28 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 25.4W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 700 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.7A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-QFN (5x6)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN

Informar Error en la información del producto

Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

En stock: 869

Comprobar si hay stock entrante adicional

Cantidad

Todos los precios se expresan en EUR

Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)