Name: G3R30MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R30MT12K-ND
Price: 29.1126 EUR
Availability: OutOfStock

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G3R30MT12K
N.º de producto de DigiKey	1913-G3R30MT12K-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G3R30MT12K
Descripción	SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 90A (Tc) 400W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	G3R™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	36mOhm a 50A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	2.69V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	155 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3901 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	400W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	G3R30

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	24,06000 €	24,06 €
30	15,56833 €	467,05 €
120	14,86425 €	1.783,71 €

Paquete estándar del fabricante

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