Name: G3F25MT06J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT06J-TR-ND
Price: 19.3721 EUR
Availability: InStock

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G3F25MT06J-TR
N.º de producto de DigiKey	1913-G3F25MT06J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-G3F25MT06J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-G3F25MT06J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G3F25MT06J-TR
Descripción	650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 108A (Tc) 343W (Tc) TO-263-7

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	108A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27.5mOhm a 35A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 15mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	108 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2939 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	343W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA