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IXTH32N65X es obsoleto y ya no se fabrica.
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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
IXTH32N65X | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXTH32N65X-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTH32N65X |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 32A TO247 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 32A (Tc) 500W (Tc) TO-247 (IXTH) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 135mOhm a 16A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 54 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2205 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 500W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
España