Name: IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH65N120L2KHV-ND
Price: 10.4302 EUR
Availability: OutOfStock

IXSH65N120L2KHV
N.º de producto de DigiKey	238-IXSH65N120L2KHV-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXSH65N120L2KHV
Descripción	1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 65A (Tc) 375W (Tc) TO-247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	52mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2160 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

Precio unitario sin IVA:	8,62000 €
Precio unitario con IVA:	10,43020 €

IXSH65N120L2KHV