IXFX88N20Q IXYS | Productos de semiconductores discretos

IXFX88N20Q es obsoleto y ya no se fabrica.

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IXFX88N20Q
N.º de producto de DigiKey	IXFX88N20Q-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFX88N20Q
Descripción	MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 88A (Tc) 500W (Tc) PLUS247™-3

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q Class
Embalaje	Caja
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	88A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 44A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	146 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4150 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3 variante
Número de producto base	IXFX88