IXFN55N120SK IXYS | Productos de semiconductores discretos

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IXFN55N120SK
N.º de producto de DigiKey	238-IXFN55N120SK-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFN55N120SK
Descripción	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje de chasis 1200 V 54A (Tc) SOT-227B
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	54A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	42mOhm a 40A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	+15V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3360 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-227-4, miniBLOC