Name: SPD50P03LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD50P03LGBTMA1TR-ND
Price: 4.0172 EUR
Availability: InStock

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SPD50P03LGBTMA1
N.º de producto de DigiKey	SPD50P03LGBTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPD50P03LGBTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPD50P03LGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPD50P03LGBTMA1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Plazo estándar del fabricante	48 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 50H (Tc) 150W (Tc) PG-TO252-5
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPD50P03LGBTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 126 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6880 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-5
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-5, DPAK (4 conductores + pestaña), TO-252AD
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7mOhm a 50A, 10V	Número de producto base SPD50P03
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA