Name: IPD042P03L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD042P03L3GATMA1TR-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPD042P03L3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD042P03L3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD042P03L3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD042P03L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD042P03L3GATMA1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 70H (Tc) 150W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD042P03L3GATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 270µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 175 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12400 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 70H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base IPD042
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.2mOhm a 70A, 10V