Name: SPD06N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD06N80C3ATMA1TR-ND
Price: 2.541 EUR
Availability: InStock

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SPD06N80C3ATMA1
N.º de producto de DigiKey	SPD06N80C3ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPD06N80C3ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPD06N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPD06N80C3ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPD06N80C3ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 785 pF @ 100 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base SPD06N80
Rds On (máx) @ Id, Vgs 900mOhm a 3.8A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FCD4N60TM	onsemi	3.396	FCD4N60TMCT-ND	2,22000 €	Similar
FCD850N80Z	onsemi	17.987	488-FCD850N80ZCT-ND	3,03000 €	Similar
STD7ANM60N	STMicroelectronics	192	497-13940-1-ND	2,00000 €	Similar