
SPA11N80C3XKSA2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SPA11N80C3XKSA2 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 11H (Tc) 34W (Tc) PG-TO220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 680µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 85 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600 pF @ 100 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 34W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 7.1A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP8N70X2M | IXYS | 12 | IXTP8N70X2M-ND | 4,44000 € | Similar |
| TK12E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12E80WS1X-ND | 4,93000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,49000 € | 3,49 € |
| 50 | 1,74260 € | 87,13 € |
| 100 | 1,57380 € | 157,38 € |
| 500 | 1,27780 € | 638,90 € |
| 1.000 | 1,18267 € | 1.182,67 € |
| 2.000 | 1,10271 € | 2.205,42 € |
| 5.000 | 1,01624 € | 5.081,20 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,49000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 4,22290 € |


