Name: TK12E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E80WS1X-ND
Price: 5.4571 EUR
Availability: OutOfStock

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Canal N Orificio pasante 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) TO-220

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TK12E80W,S1X
N.º de producto de DigiKey	TK12E80WS1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK12E80W,S1X
Descripción	MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK12E80W,S1X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	450mOhm a 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 570µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1400 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	TK12E80

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50	2,35560 €	117,78 €
100	2,14800 €	214,80 €
500	1,78424 €	892,12 €
1.000	1,74359 €	1.743,59 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.