Name: ISZ0703NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ0703NLSATMA1TR-ND
Price: 1.6577 EUR
Availability: InStock

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ISZ0703NLSATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISZ0703NLSATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISZ0703NLSATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISZ0703NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISZ0703NLSATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) PG-TSDSON-8-25
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISZ0703NLSATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 15µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-25
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13A (Ta), 56A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base ISZ0703N
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.3mOhm a 20A, 10V