Name: ISP670P06NMAXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP670P06NMAXTSA1TR-ND
Price: 2.2264 EUR
Availability: InStock

ISP670P06NMAXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISP670P06NMAXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISP670P06NMAXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISP670P06NMAXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISP670P06NMAXTSA1
Descripción	ISP670P06NMAXTSA1
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 3.7A (Ta), 6.4A (Tc) 1.8W (Ta), 5W (Tc) PG-SOT223-4-21
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISP670P06NMAXTSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.7A (Ta), 6.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	67mOhm a 3.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1.037mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA

Precio unitario sin IVA:	1,84000 €
Precio unitario con IVA:	2,22640 €

ISP670P06NMAXTSA1