Name: ISP16DP10LMAXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP16DP10LMAXTSA1TR-ND
Price: 2.0086 EUR
Availability: InStock

ISP16DP10LMAXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISP16DP10LMAXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISP16DP10LMAXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISP16DP10LMAXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISP16DP10LMAXTSA1
Descripción	ISP16DP10LMAXTSA1
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 2.3A (Ta), 3.9A (Tc) 1.8W (Ta), 5W (Tc) PG-SOT223-4-21
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISP16DP10LMAXTSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.3A (Ta), 3.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	167mOhm a 2.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1.037mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2100 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA

Precio unitario sin IVA:	1,66000 €
Precio unitario con IVA:	2,00860 €

ISP16DP10LMAXTSA1