Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 6.3162 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

ISG0614N06NM5HATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISG0614N06NM5HATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 31H (Ta), 233H (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaje en superficie PG-VITFN-10-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISG0614N06NM5HATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.6mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 3.3V a 86µA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 102nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6400pF a 30V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 3W (Ta), 167W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuración 2 canales N (medio puente)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V	Paquete / Caja (carcasa) 10-PowerVDFN
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 31H (Ta), 233H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-VITFN-10-1