Name: ISCH69N04NM7VATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISCH69N04NM7VATMA1TR-ND
Price: 2.5289 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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ISCH69N04NM7VATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISCH69N04NM7VATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISCH69N04NM7VATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISCH69N04NM7VATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISCH69N04NM7VATMA1
Descripción	ISCH69N04NM7VATMA1
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 48A (Ta), 357A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	48A (Ta), 357A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.65mOhm a 50A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	3.15V a 82µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5600 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN