Name: BSC004NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 4.1987 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC004NE2LS5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSC004NE2LS5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC004NE2LS5ATMA1
Descripción	TRENCH <= 40V
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 40H (Ta), 479H (Tc) 2.5W (Ta), 188W (Tc) PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC004NE2LS5ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.45mOhm a 30A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 10mA
Serie OptiMOS™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 238 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11000 pF @ 12.5 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Ta), 479H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN