Name: ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 4.8037 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Canal N Montaje en superficie 80 V 26H (Ta), 209H (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) PG-TDSON-8-43

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ISC019N08NM7ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISC019N08NM7ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISC019N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies Americas Corp.
Número de pieza del fabricante	ISC019N08NM7ATMA1
Descripción	ISC019N08NM7ATMA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 26H (Ta), 209H (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) PG-TDSON-8-43
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.9mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (máx) a Id 3.2V a 87µA
Serie OptiMOS™ 7	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5633 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 188W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 26H (Ta), 209H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-43
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN