Name: ISC024N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC024N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 3.3517 EUR
Availability: OutOfStock

ISC024N08NM7ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISC024N08NM7ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISC024N08NM7ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISC024N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISC024N08NM7ATMA1
Descripción	ISC024N08NM7ATMA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 24A (Ta), 167A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Ta), 167A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.2V a 71µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4600 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Precio unitario sin IVA:	2,77000 €
Precio unitario con IVA:	3,35170 €

ISC024N08NM7ATMA1