IRFR3707ZTRRPBF Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IRFR3707ZTRRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFR3707ZTRRPBF-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFR3707ZTRRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.25V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1150 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

IRFR3707ZTRRPBF