Name: IRFB4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4110PBF-ND
Price: 3.1702 EUR
Availability: OutOfStock

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Canal N Orificio pasante 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) TO-220AB

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IRFB4110PBF
N.º de producto de DigiKey	448-IRFB4110PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFB4110PBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFB4110PBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.5mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9620 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	370W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRFB4110

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,62000 €	2,62 €
50	1,30880 €	65,44 €
100	1,18130 €	118,13 €
500	0,95776 €	478,88 €
1.000	0,88594 €	885,94 €
2.000	0,84100 €	1.682,00 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.