Name: IRF9310TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9310TRPBFTR-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: InStock

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IRF9310TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF9310TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF9310TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF9310TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF9310TRPBF
Descripción	MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5250 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	IRF9310