Name: SI4459BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4459BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8029 EUR
Availability: InStock

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SI4459BDY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4459BDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4459BDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4459BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4459BDY-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI4459BDY-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.9mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3490 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	SI4459