Name: IQE220N15NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.4001 EUR
Availability: InStock

IQE220N15NM5CGATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE220N15NM5CGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQE220N15NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE220N15NM5CGATMA1
Descripción	TRENCH >=100V
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) PG-TTFN-9-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQE220N15NM5CGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	44A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.6V a 46µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1400 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TTFN-9-3
Paquete / Caja (carcasa)	9-PowerTDFN
Número de producto base	IQE220N15

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,81054 €	4.052,70 €
10.000	0,81006 €	8.100,60 €

Precio unitario sin IVA:	2,81000 €
Precio unitario con IVA:	3,40010 €

IQE220N15NM5CGATMA1