Name: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.7674 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 40 V 31H (Ta), 205H (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) PG-WHTFN-9-1

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IQE013N04LM6CGSCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE013N04LM6CGSCATMA1
Descripción	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 31H (Ta), 205H (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) PG-WHTFN-9-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQE013N04LM6CGSCATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.35mOhm a 20A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 51µA
Serie OptiMOS™ 6	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3800 pF @ 20 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 31H (Ta), 205H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-WHTFN-9-1
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 9-PowerWDFN