Name: IQDH88N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH88N06LM5ATMA1TR-ND
Price: 5.7959 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IQDH88N06LM5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQDH88N06LM5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQDH88N06LM5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQDH88N06LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQDH88N06LM5ATMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 42H (Ta), 447H (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) PG-TSON-8-9
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQDH88N06LM5ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.86mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 163µA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 202 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14000 pF @ 30 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 42H (Ta), 447H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSON-8-9
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN