Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.8443 EUR
Availability: OutOfStock

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IQD009N06NM5CGSCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Descripción	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) PG-WHTFN-9-U02
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	42A (Ta), 445A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.9mOhm a 5 0A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 163µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	12000 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-WHTFN-9-U02
Paquete / Caja (carcasa)	9-PowerWDFN