Equivalente paramétrico
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IPW65R150CFDFKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPW65R150CFDFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPW65R150CFDFKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 22.4H (Tc) 195.3W (Tc) PG-TO247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 900µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2340 pF @ 100 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 195.3W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 150mOhm a 9.3A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 210 | 448-IPW65R150CFDFKSA2-ND | 4,30000 € | Equivalente paramétrico |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | 13,54000 € | Similar |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | 2,87946 € | Similar |
| STW26N60M2 | STMicroelectronics | 309 | STW26N60M2-ND | 3,76000 € | Similar |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | 3,66000 € | Similar |








