Name: IPW65R110CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND
Price: 7.2116 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 31.2H (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO247-3-41

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IPW65R110CFDFKSA2
N.º de producto de DigiKey	448-IPW65R110CFDFKSA2-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW65R110CFDFKSA2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 31.2H (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO247-3-41
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW65R110CFDFKSA2 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1.3mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 118 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD2	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3240 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 277.8W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-41
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 31.2H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPW65R110
Rds On (máx) @ Id, Vgs 110mOhm a 12.7A, 10V

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	5,96000 €	5,96 €
30	3,40433 €	102,13 €
120	2,84225 €	341,07 €
510	2,43025 €	1.239,43 €
1.020	2,27994 €	2.325,54 €
2.010	2,23545 €	4.493,25 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.