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IPW65R110CFDFKSA1 es obsoleto y ya no se fabrica.
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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPW65R110CFDFKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 31.2H (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO247-3-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1.3mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 118 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3240 pF @ 100 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 277.8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-1 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 110mOhm a 12.7A, 10V |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | 5,96000 € | Equivalente paramétrico |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 7,81000 € | Similar |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | 6,99000 € | Similar |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | 7,35000 € | Similar |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | 600 | 497-10655-5-ND | 5,75000 € | Similar |
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