Name: IPP65R225C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R225C7XKSA1-ND
Price: 3.4122 EUR
Availability: OutOfStock

IPP65R225C7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPP65R225C7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP65R225C7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP65R225C7XKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	225mOhm a 4.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 240µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	996 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP65R225

Precio unitario sin IVA:	2,82000 €
Precio unitario con IVA:	3,41220 €

IPP65R225C7XKSA1