Name: IPN95R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 1.8392 EUR
Availability: InStock

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IPN95R1K2P7ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPN95R1K2P7ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPN95R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPN95R1K2P7ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Plazo estándar del fabricante	28 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 950 V 6A (Tc) 7W (Tc) PG-SOT223
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPN95R1K2P7ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 140µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 478 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 7W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 950 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPN95R1
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2Ohm a 2.7A, 10V