Name: IPN70R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R360P7SATMA1TR-ND
Price: 1.4157 EUR
Availability: InStock

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IPN70R360P7SATMA1
cms-digikey-product-number	IPN70R360P7SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPN70R360P7SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPN70R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPN70R360P7SATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
cms-standard-lead-time	17 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N Montaje en superficie 700 V 12.5A (Tc) 7.2W (Tc) PG-SOT223
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IPN70R360P7SATMA1 Modelos

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	360mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	517 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	7.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	IPN70R360

Precio unitario sin IVA:	1,17000 €
Precio unitario con IVA:	1,41570 €

IPN70R360P7SATMA1