Name: IPL65R195C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R195C7AUMA1TR-ND
Price: 3.6663 EUR
Availability: InStock

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IPL65R195C7AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPL65R195C7AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPL65R195C7AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPL65R195C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPL65R195C7AUMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 12A (Tc) 75W (Tc) PG-VSON-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	195mOhm a 2.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 290µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1150 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-VSON-4
Paquete / Caja (carcasa)	4-PowerTSFN
Número de producto base	IPL65R

Precio unitario sin IVA:	3,03000 €
Precio unitario con IVA:	3,66630 €

IPL65R195C7AUMA1