Name: IPL60R360P6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R360P6SATMA1TR-ND
Price: 2.42 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPL60R360P6SATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPL60R360P6SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPL60R360P6SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPL60R360P6SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPL60R360P6SATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 11.3A (Tc) 89.3W (Tc) 8-ThinPak (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPL60R360P6SATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 370µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P6	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1010 pF @ 100 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 89.3W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-ThinPak (5x6)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11.3A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPL60R360
Rds On (máx) @ Id, Vgs 360mOhm a 4.5A, 10V