



IPI60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPI60R125CPXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPI60R125CPXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) PG-TO262-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPI60R125CPXKSA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 1.1mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500 pF @ 100 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO262-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 16A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15016-5-ND | 26,56405 € | Similar |
| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | 988 | 5048-XP60SL115DR-ND | 72,97000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 5,40000 € | 5,40 € |
| 50 | 2,85020 € | 142,51 € |
| 100 | 2,60390 € | 260,39 € |
| 500 | 2,17256 € | 1.086,28 € |
| 1.000 | 2,03411 € | 2.034,11 € |
| 2.000 | 1,95998 € | 3.919,96 € |
| Precio unitario sin IVA: | 5,40000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 6,53400 € |









