Name: IPD80R2K8CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R2K8CEATMA1TR-ND
Price: 1.8997 EUR
Availability: InStock

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IPD80R2K8CEATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD80R2K8CEATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 1.9H (Tc) 42W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD80R2K8CEATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 120µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290 pF @ 100 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 42W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.9H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPD80R2
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8Ohm a 1.1A, 10V

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Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
STD3NK60ZT4	STMicroelectronics	3.084	497-4102-1-ND	1,69000 €	Similar

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