Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 1.8755 EUR
Availability: InStock

IPD80R1K4CEATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD80R1K4CEATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD80R1K4CEATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4Ohm a 2.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.9V a 240µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	570 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD80R1

Precio unitario sin IVA:	1,55000 €
Precio unitario con IVA:	1,87550 €

IPD80R1K4CEATMA1