Name: IPD80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 2.0207 EUR
Availability: InStock

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IPD80R1K2P7ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD80R1K2P7ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 4.5H (Tc) 37W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD80R1K2P7ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 80µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300 pF @ 500 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 37W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.5H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPD80R1
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2Ohm a 1.7A, 10V