Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.4926 EUR
Availability: InStock

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IPD65R660CFDAATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD65R660CFDAATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD65R660CFDAATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 543 pF @ 100 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 660mOhm a 3.22A, 10V	Número de producto base IPD65R660
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 214.55µA