Name: IPD50R3K0CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50R3K0CEAUMA1TR-ND
Price: 0.7381 EUR
Availability: InStock

IPD50R3K0CEAUMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD50R3K0CEAUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD50R3K0CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD50R3K0CEAUMA1
Descripción	MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 500 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD50R3K0CEAUMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	13V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3Ohm a 400mA, 13V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	84 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD50R3

Precio unitario sin IVA:	0,61000 €
Precio unitario con IVA:	0,73810 €

IPD50R3K0CEAUMA1