Name: IPD048N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD048N06L3GATMA1TR-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: InStock

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IPD048N06L3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD048N06L3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD048N06L3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD048N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD048N06L3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) PG-TO252-3-311
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD048N06L3GATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.8mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 58µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8400 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-311
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD048N